4H-SiC的臨界擊穿場強(qiáng)為MV/cm,這要高出Si和GaAs一個(gè)數(shù)量級,所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率;大的熱導(dǎo)率,熱導(dǎo)率是Si的倍和GaAs的10倍,熱導(dǎo)率大,器件的導(dǎo)熱性能就好,集成電路的集成度就可以提高,但散熱系統(tǒng)卻減少了,進(jìn)而整機(jī)的體積也減小了;高的飽和電子漂移速度和低的介電常數(shù)能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)中每個(gè)原子都被四個(gè)異種原子包圍,雖然Si-C原子結(jié)合為共價(jià)鍵,但硅原子的負(fù)電性小于負(fù)電性為的C原子,根據(jù)Pauling公式,離子鍵合作用貢獻(xiàn)約占12%,從而對載流子遷移率有一定的影響,據(jù)目前已發(fā)表的數(shù)據(jù),各種碳化硅同素異形體中,輕摻雜的3C-SiC的載流子遷移率高,與之相關(guān)的研究工作也較多,在較高純的3C-SiC中,其電子遷移率可能會超過1000cm/(),跟硅也有一定的差距。[1]與Si和GaAs相比,除個(gè)別參數(shù)外(遷移率),SiC材料的電熱學(xué)品質(zhì)優(yōu)于Si和GaAs等材料,次于金剛石。因此碳化硅器件在高頻、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力,它可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為下一代電力電子器件。MBRF20100CT是什么類型的管子?安徽肖特基二極管MBR40200PT
一、肖特基二極管特性1、肖特基(Schottky)二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓下降很多,所以自身功耗較小,效率高。2、由于反向電荷回復(fù)時(shí)間極短,所以適合工作在高頻狀況下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管結(jié)溫分100℃、125℃、150%、175℃幾種(結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫屬性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效。5、它也有一些缺陷:是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時(shí)要全盤考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見型號封裝圖關(guān)于封裝通過型號識別封裝外形:MBR10100:TO-220AC,單芯片,兩引腳,MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片,三引腳,型號后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263(D2PAK)、貼片。型號前面第四個(gè)字母B,表示TO-263,國際通用命名。雙芯片,三引腳,型號后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252(DPAK)、貼片。MBRD與MBRB都是貼片,D:TO-252,B:"PT"表示TO-3P封裝,原MOTOROLA(今ON)稱做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見型號及參數(shù)1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,普遍應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管采用。浙江肖特基二極管MBR4045PTTO263封裝的肖特基二極管有哪些?
[1]碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導(dǎo)體器件的性能,滿足國民經(jīng)濟(jì)和建設(shè)的需要,目前,美國、德國、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國家正競相投入巨資對碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國部從20世紀(jì)90年代就開始支持碳化硅功率器件的研究,在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場化的碳化硅電力電子器件。美國Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作)已經(jīng)用在美國空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品,其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平,其阻斷電壓超過10000V,大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高,開關(guān)速度很快,重量很輕,并且體積很小,它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢。2000年Cree公司研制出KV的臺面PiN二極管,同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺面PiN二極管。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管,其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低,工作頻率很高。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?,可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復(fù)速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電,將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的恢復(fù)速度快,可以用在高頻場合,故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,盡管如此,開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的??旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低()、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流。肖特基二極管的封裝有哪些?
有效提高了焊接在線路板本體上的二極管本體的穩(wěn)定性;2.通過設(shè)置的緩沖墊以及氣孔結(jié)構(gòu),在對二極管本體的外壁面進(jìn)行穩(wěn)定套接時(shí),避免了半環(huán)套管對二極管本體產(chǎn)生直接擠壓,而且設(shè)置的多個(gè)氣孔可以保證二極管本體的散熱性能。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)側(cè)視立面圖;圖2為本實(shí)用新型的上側(cè)的半環(huán)套管快速卡接結(jié)構(gòu)局部放大剖視圖;圖3為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)俯視圖。圖中:1線路板本體、2二極管本體、3半環(huán)套管、31導(dǎo)桿、32擋塊、4第二半環(huán)套管、41插槽、42插接孔、5插塊、51卡接槽、52阻尼墊、53限位槽、6穩(wěn)定桿、61導(dǎo)孔、7插柱、71滑槽、72滑塊、73彈簧、74限位塊、8柱帽、81扣槽、9緩沖墊、10氣孔。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請參閱圖1、圖2、圖3,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種溝槽式mos型肖特基二極管,包括線路板本體1,線路板本體1為常用線路板。肖特基二極管使用要注意哪些事項(xiàng)?湖北肖特基二極管MBR60200PT
肖特基二極管在開關(guān)電源上的應(yīng)用。安徽肖特基二極管MBR40200PT
其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和迅速開關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池組或發(fā)光二極管。快恢復(fù)二極管:有,35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間很快變換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.快回復(fù)二極管FRD(FastRecoveryDiode)是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件,有著開關(guān)特點(diǎn)好,反向回復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡單等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD(SuperfastRecoveryDiode),則是在快回復(fù)二極管根基上發(fā)展而成的,其反向回復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可普遍用以開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間斷電源(UPS)、交流電意念變頻調(diào)速(VVVF)、高頻加熱等設(shè)備中,作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管。安徽肖特基二極管MBR40200PT